EP1523769A1

Assembly comprising a semiconductor chip and support therefor, in addition to method for a bonded wiring connection

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Projected expiry passed 22 July 2023, 3.2 years ago.

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6 claims: 2 independent, 4 dependent

  1. 1
    Claims of equivalent WO 2004017400 A1 Patentansprüche 1. Anordnung mit einem Halbleiterchip (3) und einem mit einer Kontaktstelle versehenen Träger (1) sowie einem ein Anschlusspad des Halbleiterchips (3) mit der Kontaktstelle verbindenden Draht (6) , wobei auf der Kontaktstelle ein erster Nailhead-Kontakt (4) geformt ist, das erste Ende des Drahtes (6) mit einem zweiten Nailhead-Kontakt (5) mit dem Anschlusspad des Halbleiterchips (3) und das zweite Ende des Drahtes (6) mittels eines Wedge-Kontaktes (7) mit dem ersten Nailhead-Kontakt (5) verbunden ist, dadurch gekennzeichnet, dass die Kontaktstelle eine Durchkontaktierung (9) im Träger (1) ist und der erste Nailhead-Kontakt (4) direkt auf der Trägeroberfläche an der Stelle der Durchkontaktierung (9) angebracht ist, ohne dass dort eine weitere Oberflächenmetallisierung vorhanden ist.
  2. 2
    Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Träger (1) mit einer Keramik gebildet ist.
  3. 3
    Anordnung nach Anspruch 1 oder 2 , dadurch gekennzeichnet , dass der Träger (1) mit einer mehrlagigen Keramik gebildet ist und die Durchkontaktierung (9) eine Oberfläche des Trä- gers mit einer Metallisierung (2) zwischen zwei Keramiklagen verbindet .
  4. 4
    Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Träger (1) ein PC-Board ist.
  5. 5
    Anordnung nach Anspruch 1 oder 4 , dadurch gekennzeichnet, dass der Träger (1) mit einem mehrlagigen PC-Board gebildet ist und die Durchkontaktierung (9) eine Oberfläche des Trägers mit einer Metallisierung (2) zwischen zwei PC-Board- Lagen verbindet.
  6. 6
    Verfahren zum elektrischen Verbinden eines Anschlusspads eines Halbleiterchips (3) mit einer Durchkontaktierung (9) auf einem Träger (1) mit den Schritten:• Formen eines ersten Nailhead-Kontaktes (4) direkt auf der Trägeroberfläche an der Stelle der Durchkontaktierung (9), ohne dass dort eine weitere Oberflächenmetallisierung vorhanden ist, mittels der Kapillare eines Bondwerkzeugs, • Abtrennen des Drahtes (6) von dem ersten Nailhead-Kontakt (4) , • Formen eines zweiten Nailhead-Kontaktes (5) auf dem Anschlusspad des Halbleiterchips (3) mittels der Kapillare (8) des Bondwerkzeugs, • Führen des Drahtes (6) zum ersten Nailhead-Kontakt (4), • Formen eines Wedge-Kontaktes (7) mit dem Ende des Drahtes (6) auf dem ersten Nailhead-Kontakt (4) mittels der Kapillare (8) des Bondwerkzeugs.