Nova Patents
EP0905779A2

Device with two integrated circuits

Abstract

In der obersten Verdrahtungsebene (6) des Serienproduktschaltkreises eines Microcontrollers sind bereits Kontaktflächen (13) vorgesehen, so daß zur Herstellung des Emulationsschaltkreises (3) eine weitere Verdrahtungsebene (10) ergänzt wird, über die die internen Signale nach außen geführt werden. Als Schnittstelle dient ein nach Art einer Flip-Chip-Montage auf dem Emulationsschaltkreis (3) aufgebrachter Ausgabechip (20) mit weiterer Emulationslogik.

EP0905779A2, drawing sheet 1
Sheet 1 of 7

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13 claims: 4 independent, 9 dependent

  1. 1
    Verfahren zur Herstellung einer Emulationsschaltkreisanordnung aus einem integrierten Schaltkreis, mit den folgenden Schritten:- Vorsehen des integrierten Schaltkreises mit einer ersten Verdrahtungsschicht (6), deren Leiterbahnen mit verbreiterten Abschnitten (13, 31, 32) für eine Kontaktierung ausgeführt sind, - Aufbringen einer weiteren Verdrahtungsschicht (10) mit Leiterbahnen (16, 17), - Kontaktieren der Leiterbahnen (16, 17) der weiteren Verdrahtungsschicht (10) an die Abschnitte (13, 31, 32) der ersten Verdrahtungsschicht (6), - Versehen der Leiterbahnen (16, 17) der weiteren Verdrahtungsschicht (10) mit Kontaktflächen (37, 38) für gegenüber dem integrierten Schaltkreis zusätzliche Ausgangssignale der Emulationsschaltkreisanordnung und - Verbinden der Kontaktflächen (37, 38) der weiteren Verdrahtungsschicht (10) mit Außenanschlüssen (60, 63, 66).
  2. 2
    Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß über der weiteren Verdrahtungsschicht (10) ein weiterer integrierter Schaltkreis (20) aufgebracht wird, daß Signaleingangsanschlüsse des weiteren integrierten Schaltkreises (20) mit den Kontaktflächen (37, 38) der weiteren Verdrahtungsschicht (10) des integrierten Schaltkreises (3) elektrisch leitfähig verbunden werden.
  3. 3
    Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet , daß auf den Kontaktflächen (37, 38) der weiteren Verdrahtungsschicht (10) Kontaktwarzen (21, 22, 39, 40) aufgebracht werden, die lagemäßig den Kontaktflächen des weiteren integrierten Schaltkreises (20) entsprechen, und daß die Kontaktwarzen (21, 22, 39, 40) mit den Kontaktflächen des weiteren integrierten Schaltkreises (20) in Verbindung gebracht werden.
  4. 4
    Verfahren nach einem der Ansprüche 2 bis 3, dadurch gekennzeichnet , daß der weitere integrierte Schaltkreis (20) randseitig Anschlußflächen (60, 63) aufweist, an die Außenanschlüsse (66) eines Gehäuses (65) kontaktiert werden.
  5. 5
    Verfahren nach einem der Ansprüche 2 bis 4, dadurch gekennzeichnet , daß in der weiteren Verdrahtungsebene (10) des integrierten Schaltkreises (3) die Kontaktflächen mit einem Anschluß (71) für ein Versorgungspotential über Leiterbahnen verbunden werden, die einen Abschnitt (72) mit verringerter Querschnittsfläche aufweisen, daß nach dem Verbinden der Signaleingangsanschlüsse des weiteren integrierten Schaltkreises (20) mit den Kontaktflächen die Abschnitte (72) verringerter Querschnittsfläche durch einen über den weiteren integrierten Schaltkreis (20) eingeprägten Stromimpuls unterbrochen werden.
  6. 6
    Anordnung mit zwei integrierten Schaltkreisen mit - einem ersten integrierten Schaltkreis (3), der in der obersten Verdrahtungsschicht (6) Kontaktflächen (13, 31, 32) aufweist, und - einem zweiten integrierten Schaltkreis (20), der auf dem ersten integrierten Schaltkreis (3) angeordnet ist und der den Kontaktflächen (13, 31, 32) des ersten integrierten Schaltkreises (2) lagemäßig entsprechende Kontaktflächen aufweist, die über ein elektrisch leitfähiges Material (21, 22, 39, 40) miteinander verbunden sind, wobei - der zweite integrierte Schaltkreis (20) flächenmäßig größer als der erste integrierte Schaltkreis (3) ist und randseitig Anschlußflächen (60, 63) für eine Kontaktierung nach außerhalb aufweist
  7. 7
    Anordnung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet , daß die Verbindung zwischen den Kontaktflächen der integrierten Schaltkreise mittels Kontaktwarzen (21, 22, 39, 40) bewirkt ist.
  8. 8
    Anordnung nach einem der Ansprüche 6 oder 7, dadurch gekennzeichnet , daß die Oberflächen der integrierten Schaltkreise (3, 20), an denen die jeweiligen Kontaktflächen zugänglich sind, einander zugewandt sind.
  9. 9
    Anordnung nach einem der Ansprüche 6 bis 8, gekennzeichnet durch rastermäßige Anordnung (50) einer Anzahl der Kontaktflächen des ersten integrierten Schaltkreises (3), bei der in eine Richtung die Kontaktflächen jeweils gleiche Abstände aufweisen.
  10. 10
    Anordnung nach einem der Ansprüche 6 bis 9, dadurch gekennzeichnet , daß der erste integrierte Schaltkreis (3) einen Mikroprozessor oder ein Mikrocontroller enthält, daß der zweite integrierte Schaltkreis den Anschlußflächen für die Außenkontaktierung zugeordnete Treiberschaltungen (81) aufweist und/oder einen für eine In-Circuit-Emulation geeigneten Beobachtungskanalspeicher (82), der mit Registern des Mikroprozessors bzw. des Mikrocontrollers verbunden ist, aufweist und/oder einen für eine In-Circuit-Emulation geeigneten Programmemulationsspeicher (83) aufweist und/oder Logikschaltungen für das Setzen und Überwachen von Unterbrechungspunkten des Emulationsprogramms (84).
  11. 11
    Anordnung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet , daß Funktionselemente, die eine Schnittstelle zum ersten integrierten Schaltkreis (3) bilden, durch Programmierung einer programmierbaren logischen Schaltung gebildet sind.
  12. 12
    Anordnung nach den Ansprüche 10, dadurch gekennzeichnet , daß Funktionselemente, die eine Schnittstelle zum ersten integrierten Schaltkreis (3) bilden, als ein maskenprogrammierbares Gate Array ausgeführt sind.
  13. 13
    Anordnung nach den Ansprüchen 11 oder 12, dadurch gekennzeichnet , daß die genannten Funktionselemente die Logikschaltungen für das Setzen und Überwachen von Unterbrechungspunkten des Emulationsprogramms (84) umfassen und/oder Pufferschaltungselemente zur Signalein- und ausgabe (85) bezüglich des ersten integrierten Schaltkreises (3).
Independent claims13